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概述

  光刻是指利用特定波長(zhǎng)的光進(jìn)行輻照，將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上的過(guò)程。光刻工藝是一個(gè)復(fù)雜的物理化學(xué)過(guò)程，具有大面積、重復(fù)性好、易操作以及成本低等特點(diǎn)，是半導(dǎo)體器件與大規(guī)模集成電路制造的核心步驟。

工藝流程

HMDS襯底預(yù)處理

  智能型HMDS增粘烘箱中首先去除表面污染物以及水蒸氣，隨后預(yù)烘烤至100~150℃，有助于增強(qiáng)光刻膠與襯底的黏附性，對(duì)于親水性襯底，如SiO2、玻璃、貴金屬膜等，需要使用增附劑增加襯底與光刻膠的黏附性，稱為增附或者助黏。

涂膠

在硅片表面涂布一層光刻膠，光刻膠是一種對(duì)特定波長(zhǎng)光線敏感的光敏材料，用于在曝光過(guò)程中形成電路圖案。

前烘

 前烘又被稱為軟烘，是將涂布了光刻膠的硅片放入烘箱中進(jìn)行加熱，目的是為了去除光刻膠中的溶劑，增強(qiáng)光刻膠與硅片的黏附性，并減少光刻膠中的應(yīng)力。

  前烘精密熱板或無(wú)塵烘箱的溫度一般控制在85~120°C之間，時(shí)間為30~60秒。烘烤后需要冷卻至室溫再進(jìn)行后續(xù)工藝，特別是厚膠，曝光前需要等待一段時(shí)間來(lái)實(shí)現(xiàn)再吸水過(guò)程，保證顯影速度和高對(duì)比度。

曝光

曝光需要用到光刻機(jī)，將掩模版上的電路圖案與硅片上的目標(biāo)位置進(jìn)行精確對(duì)準(zhǔn)，然后通過(guò)光源將掩模版上的電路圖案投影到硅片上的光刻膠層上，形成所需要的電路圖案。